900nm Si PIN fotodioda

Model: GT101Ф0.2/ GT101Ф0.5/ GT101Ф1/ GT101Ф2/ GT101Ф4/ GD3251Y/ GT101Ф8/ GD3252Y

Stručný popis:

Je to Si PIN fotodioda, která pracuje pod zpětným předpětím a poskytuje vysokou citlivost v rozsahu od UV po NIR.Maximální vlnová délka odezvy je 930 nm.

získat nabídku Stažení

Technický parametr

Štítky produktu

Funkce

Přední osvětlená konstrukce
Nízký temný proud
Vysoká odezva
Vysoká spolehlivost

Aplikace

Komunikace, snímání a měření pomocí optických vláken
Optická detekce od UV po NIR
Rychlá optická detekce pulzů
Řídicí systémy pro průmysl

Fotoelektrický parametr（@Ta=25℃）

položka #	Kategorie balíčku	Průměr fotocitlivého povrchu (mm)	Rozsah spektrální odezvy (nm)	Špičková vlnová délka odezvy (nm)	Odezva (A/W) X = 900 nm	Narůstající čas X = 900 nm V_R= 15V R_L=50Ω(ns)	Temný proud V_R= 15V (nA)	Kapacita spoje V_R= 15V f=1 MHz (pF)	Průrazné napětí (PROTI)
GT101Ф0.2	Koaxiální typ II, 5501, TO-46, Typ zástrčky	Ф0,2	4～1100	930	0,63	4	0,1	0,8	>200
GT101Ф0,5		Ф0,5				5	0,1	1.2
GT101Ф1		Ф1,0				5	0,1	2,0
GT101Ф2	TO-5	Ф2.0				7	0,5	6.0
GT101Ф4	T0-8	Ф4,0				10	1,0	20,0
GD3251Y	TO-8	Ф6,0				20	10	30
GT101Ф8	T0-8	Ф8,0				20	3.0	70,0
GD3252Y	T0-8	5,8×5,8				25	10	35