800nm APD
Funkce
- Přední osvětlený plochý čip
- Vysokorychlostní odezva
- Vysoký zisk APD
- Nízká přechodová kapacita
- Nízká hlučnost
Aplikace
- Laserové měření vzdálenosti
- Laserový radar
- Varování před laserem
Fotoelektrický parametr(@Ta=22±3℃）
| položka # | Kategorie balíčku | Průměr fotocitlivého povrchu (mm) | Rozsah spektrální odezvy (nm) |
Špičková vlnová délka odezvy | Odpovědnost X = 800 nm φe=1μW M = 100 (A/W) | Doba odezvy X = 800 nm RL= 50Ω (ns) | Temný proud M = 100 (nA) | Teplotní koeficient Ta = -40 °C až 85 °C （V/℃）
| Celková kapacita M = 100 f=1 MHz (pF)
| Průrazné napětí IR= 10μA (PROTI) | ||
| Typ. | Max. | Min | Max | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TO-46 | 0,23 |
400–1100
|
800 |
55
|
0,3 | 0,05 | 0,2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TO-46 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0,23 | 0,05 | 0,2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0,50 | 0,10 | 0,4 | 3.0 | |||||||
