850nm Si PIN moduly

Model: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Stručný popis:

Jedná se o 850nm Si PIN fotodiodový modul s předzesilovacím obvodem, který umožňuje zesílit slaboproudý signál a převést jej na napěťový signál pro dosažení procesu konverze zesílení foton-fotoelektrického signálu.

získat nabídku Stažení

Technický parametr

Štítky produktu

Funkce

Vysokorychlostní odezva
Vysoká citlivost

Aplikace

Laserová pojistka

Fotoelektrický parametr（@Ta=22±3℃）

položka #	Kategorie balíčku	Průměr fotocitlivého povrchu (mm)	Odpovědnost	Narůstající čas (ns)	Dynamický rozsah (dB)	Provozní napětí (PROTI)	Šumové napětí (mV)	Poznámky
položka #	Kategorie balíčku	Průměr fotocitlivého povrchu (mm)	λ=850 nm, φ_e= 1μW		X = 850 nm	Provozní napětí (PROTI)	Šumové napětí (mV)	Poznámky
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Úhel dopadu: 0°, propustnost 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Poznámky: Testovací zátěž GD4213Y je 50Ω, ostatní ostatní jsou 1MΩ