1064nmAPD série s jednou trubkou

Fotoelektrické charakteristiky (＠Ta＝22±3℃)

Modelka

GD5210Y-3-500

GD5210Y-3-800

GD5211Y

Forma balíčku

TO-46

TO-46

TO-52

Průměr fotocitlivého povrchu (mm)

0,5

0,8

0,8

Rozsah spektrální odezvy (nm)

400~1100

400~1100

400~1100

Vlnová délka maximální odezvy (nm)

980

980

980

Schopnost reagovat

λ=905nm Φ=1μW

M=100

58

58

58

λ=1064nm Φ=1μW

M=100

36

36

36

Temný proud

M=100(nA)

Typický

2

4

10

Maximum

20

20

20

Doba odezvy λ=800nm ​​R1=50Ω(ns)

2

3

3.5

Teplotní koeficient pracovního napětí T=-40℃~85℃(V/℃)

2.2

2.2

2.2

Celková kapacita M=100 f=1MHz(pF)

1,0

1.5

3.5

Průrazné napětí

IR=10μA(V)

Minimální

220

220

350

Maximum

580

580

500